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用途广泛的电子材料（第1页）

用途广泛的电子材料

电子材料是指在电子技术和微电子技术中使用的材料，包括半导体材料、介电材料、压电及铁电材料、磁性材料、某些金属材料、高分子材料以及其他相关材料，其中最重要的是半导体材料。

在电子和微电子技术中，半导体材料主要用来制做晶体管、集成电路、固态激光器和探测器等器件。

1906年发明真空三极管，奠定了本世纪上半叶无线电电子学发展的基础，但采用真空管的装备体积笨重、能耗大、故障率高。

1948年发明了半导体晶体管，使电子设备走向小型化、轻量化、省能化，晶体管的功耗仅为电子管的百万分之一。

1958年出现了集成电路，集成电路的发展带来了电子计算机的微小型化，从而使人类社会掀开了信息时代新的一页。

目前制造集成电路的主要材料是硅单晶。

硅的主要特性是机械强度高、结晶性好、自然界中储量丰富、成本低，并且可以拉制出大尺寸的硅单晶。

可以说，硅材料是大规模集成电路的基石。

硅固然是取之不尽、用之不竭的原材料，但化合物半导体材料，如砷化镓很可能成为继硅之后第二种最重要的半导体材料。

因为与硅相比，砷化镓具有更高的禁带宽度，因而砷化镓器件可以用于更高的工作温度，又由于它具有更高的电子迁移率，所以可用于要求更高频率和更高开关速度的场合，这也就使它成为制造高速计算机的关键材料。

砷化镓材料更重要的一个特性是它的光电效应，可以使它成为激光光源，这是实现光纤通信的关键，因而预计砷化镓材料在21世纪将有一个大发展。

在高真空条件下，采用分子速外延、化学气相沉积、液相外延、金属有机化学气相沉积、化学束外延等方法，在晶体衬底上一层叠一层地生长出不同材料的薄膜来，每层只有几个原子层厚，这样生长出来的材料叫超晶格材料。

超晶格的出现将为半导体材料、器件的发展开辟更新的天地。

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